- В вашей корзине больше ничего нет
- Доставка
- Итого, к оплате: 0,00 €
Goodram GR2666S464L19S/4G модуль памяти 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz
GR2666S464L19S/4G
Goodram GR2666S464L19S/4G, 4 GB, 1 x 4 GB, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
Описание
Goodram GR2666S464L19S/4G. Комплектующие для: Ноутбук, Оперативная память: 4 GB, Конфигурация памяти (модули х емкость): 1 x 4 GB, Тип внутренней памяти: DDR4, Тактовая частота памяти: 2666 MHz, Форм-фактор памяти: 260-pin SO-DIMM, Время задержки CAS: 19
Подробнее о товаре
GR2666S464L19S/4G
4 штук
Характеристики
- Тактовая частота памяти
- 2666 MHz
- Напряжение памяти
- 1.2 V
- Конфигурация памяти (модули х емкость)
- 1 x 4 GB
- Форм-фактор памяти
- 260-pin SO-DIMM
- Error-correcting code (ECC)
- Нет
- Тип буферной памяти
- Unregistered (unbuffered)
- Время задержки CAS
- 19
- Конфигурация модуля
- 512M x 8
- Каналы памяти
- Single-channel
- Тип упаковки
- Блистер
- Комплектующие для
- Ноутбук
- Код гармонизированной системы описания (HS)
- 84733020
- Оперативная память
- 4 GB
- Тип внутренней памяти
- DDR4