Goodram GR1333D364L9S/4G модуль памяти 4 GB 1 x 4 GB DDR3 1333 MHz

GR1333D364L9S/4G
4Гб DDR3 1333МГц, CL9
11,04 €
С НДС
Количество
В наличии

Самовывоз
Tuesday 30 April
Бесплатно!*
Пакомат
Thursday 2 May
2,99 €*
Курьер
Thursday 2 May
9,99 €*
Курьер
Thursday 2 May
6,99 €*
Курьер
Thursday 2 May
12,99 €*
* Стоимость доставки может отличаться в зависимости от размера и веса товара.
Описание
- напряжение питания 1,5 В и 1,35 В - тактовая частота: от 1066 МГц до 1600 МГц - предлагаемые емкости от 1 Гб до 8 Гб для одного модуля - пожизненная гарантия Модули памяти типа DDR3 широко используются в компьютерах ПК, где требуется очень большая скорость передачи данных, большая емкость и низкое энергопотребление (в случае модулей low voltage — 1,35 В). Благодаря топологии «fly-by» и терминации адресной шины на модуле памяти возможно тактование DDR3 с частотой выше 1200 МГц (передача данных с частотой свыше 2400 МГц). Низкое энергопотребление делает возможным применение модулей DDR3 для мобильных приложений Качество модулей памяти GOODRAM В целях обеспечения высочайшего качества модулей памяти марки GOODRAM, мы работаем только с самыми лучшими поставщиками компонентов, а в производстве модулей памяти используем отборные чипы памяти мировых брендов. Заводские испытания Благодаря многоступенчатому контролю качества и тщательному тестированию каждой произведенной памяти марки GOODRAM мы уверены, что в руках наших клиентов попадает продукция самого высокого уровня надежности и качества исполнения. Пожизненная гарантия Мы прилагаем все усилия к тому, чтобы каждый модуль памяти, сходящий с нашей производственной линии, отвечал самым высоким стандартам качества, подтверждением чего является пожизненная гарантия, предоставляемая на все модули памяти
Подробнее о товаре
GOODRAM
GR1333D364L9S/4G
8 штук

Характеристики

Конфигурация модуля
512M x 8
Ширина
133,3 mm
Свинцевание
Золото
Глубина
1,27 mm
Высота
30 mm
Комплектующие для
ПК/сервер
Оперативная память
4 GB
Тип внутренней памяти
DDR3
Тактовая частота памяти
1333 MHz
Напряжение памяти
1.5 V
Конфигурация памяти (модули х емкость)
1 x 4 GB
Форм-фактор памяти
240-pin DIMM
Error-correcting code (ECC)
Нет
Тип буферной памяти
Unregistered (unbuffered)
Время задержки CAS
9
Ширина ячейки
64 бит
Рейтинг памяти
1